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WZP1312U薄膜鉑熱電阻,WZP-1312U,的詳細(xì)資料: |
1. 測溫范圍、允差
2.熱響應(yīng)時(shí)間 在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%,所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間,用t0.5表示。 3.自熱影響 鉑電阻允許通過電流1mA,zui大測量電流為5mA,由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。 4.電阻溫度系數(shù)(α)與標(biāo)稱值的偏差
5.絕緣電阻 當(dāng)周圍空氣溫度15 薄膜鉑電阻元件 一、 概述 CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿,采用*的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜,引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成,*自動的生產(chǎn)程序保證了產(chǎn)品*符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。 二、 技術(shù)特點(diǎn) 1. 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成,因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性,適合在-50~400℃的溫度下使用。 2. 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層,因而它具有良好的防震和防沖擊性能。 3. 薄膜表面蓋以陶瓷,因而元件能夠承受高壓,并具有良好的絕緣性。 4. 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。 5. 規(guī)格:
6. 精度:
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